STGB35N35LZT4技术参数详情：
STGB35N35LZT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的345V、40A IGBT，采用DPAK表面贴装封装。该器件针对中高功率开关应用进行了优化，在4.5V栅极电压下提供低至1.7V的饱和压降，有效降低了导通损耗。其逻辑电平输入接口简化了驱动设计，而高达176W的功率处理能力和-55°C至175°C的宽结温范围确保了其在严苛环境下的稳定运行。
凭借其优异的电气特性，该器件能够显著提升系统的整体能效和功率密度，是开关电源、UPS、电焊设备及工业电机驱动等应用的可靠功率开关解决方案。
- 型号:STGB35N35LZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 345V 40A TO-263
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:345 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，15A
- 功率 - 最大值:176 W
- 开关能量:-
- 输入类型:逻辑
- 栅极电荷:49 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:1.1s/26.5s
- 测试条件:300V，15A，5V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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