STI4N62K3技术参数详情：
STI4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高电压开关应用，其核心优势在于620V的漏源电压（Vdss）和3.8A的连续漏极电流（Id）能力，为系统提供了坚固的电气安全裕度。
其技术亮点包括低至2欧姆的导通电阻（Rds(on)）以及仅22nC的栅极电荷（Qg），这共同优化了传导损耗与开关损耗的平衡，有助于提升整体能效和开关频率。器件采用I2PAK通孔封装，支持高达70W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STI4N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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