STGD3NB60SD-1技术参数详情：
STGD3NB60SD-1是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、6A IGBT，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于优异的性能平衡，在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下，最大导通压降（Vce(on)）仅为1.5V，有效降低了导通损耗。
该器件具备高达25A的脉冲电流能力和175°C的最大工作结温，确保了良好的鲁棒性与热可靠性。同时，其18nC的低栅极电荷与优化的开关能量（开通1.1mJ/关断1.15mJ）共同实现了快速的开关特性，有助于提升系统效率与工作频率，适用于中功率开关模式电源及电机驱动等应用。
- 型号:STGD3NB60SD-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 6A DPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:48 W
- 开关能量:1.1mJ（导通），1.15mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:18 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:125s/3.4s
- 测试条件:480V，3A，1 千欧，15V
- 反向恢复时间 (trr):1.7 s
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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