STGD5NB120SZT4技术参数详情：
STGD5NB120SZT4是ST意法半导体推出的一款1200V、10A分立IGBT，隶属于PowerMESH产品系列。该器件采用DPak（TO-252）表面贴装封装，最大功耗为75W，设计用于在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作。
其核心电气特性包括在15V栅极驱动、5A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2V，有助于降低导通损耗。在标准测试条件（960V， 5A）下，其开关能量参数（开启2.59mJ， 关断9mJ）与开关时间特性，使其能够胜任中等频率的功率开关应用，为系统效率优化提供了良好基础。
- 型号:STGD5NB120SZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 1200V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):10 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:75 W
- 开关能量:2.59mJ（导通），9mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:-
- 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1s
- 测试条件:960V，5A，1 千欧，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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