STGF20M65DF2技术参数详情：
STGF20M65DF2是ST意法半导体推出的一款650V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220FP封装。该器件旨在提供优异的效率与可靠性平衡，其最大饱和压降低至2V @ 15V，20A，有效降低了导通损耗，同时优化的开关特性（开启/关断延迟时间分别为26ns/108ns）有助于控制高频应用中的开关损耗。
其设计兼顾了性能与易用性，标准输入类型兼容广泛的驱动电路，63nC的栅极电荷降低了对驱动源的要求。高达175°C的结温工作范围与32.6W的功率处理能力，使其能够稳定运行于要求严苛的工业环境，是电机驱动、电源转换等中功率应用的稳健选择。
- 型号:STGF20M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:32.6 W
- 开关能量:140J（导通），560J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:63 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
- 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):166 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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