STGF5H60DF技术参数详情：
STGF5H60DF是意法半导体推出的一款600V、10A沟槽栅场截止型IGBT，采用标准TO-220-3通孔封装。该器件在15V栅极驱动下，于5A电流时具有低至1.95V（最大值）的饱和压降，有效降低了导通损耗。其开关特性优异，开启与关断延迟时间短，总开关能量损耗低，栅极电荷小，适合较高频率的开关操作。
器件工作结温范围宽（-55°C至175°C），确保了高温环境下的稳定性。凭借其平衡的电气性能与坚固的封装，STGF5H60DF主要面向对效率和可靠性有较高要求的应用，如开关电源、UPS、电机驱动及工业变频器等功率转换与控制系统。
- 型号:STGF5H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220FP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:24 W
- 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:43 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
- 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 现在可以订购STGF5H60DF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
