STGFW30V60DF技术参数详情：
STGFW30V60DF是ST意法半导体生产的一款沟槽型场截止IGBT单管，采用TO-3PF封装。其核心电气参数为600V集射极击穿电压与60A连续集电极电流，脉冲电流能力可达120A，最大功耗58W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，具备高可靠性。
该器件的关键性能优势在于其低导通损耗与快速开关特性的良好结合。在15V栅压、30A电流条件下，其饱和压降典型值仅为2.3V。同时，其开关能量较低（开/关合计约616J），反向恢复时间短至53ns，这使其在变频、逆变等高频开关应用中能有效降低系统总损耗，提升整体能效与功率密度。
- 型号:STGFW30V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:58 W
- 开关能量:383J（导通），233J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:163 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):53 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:TO-3PF
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