STGP10H60DF技术参数详情：
STGP10H60DF是ST意法半导体生产的一款有源、高性能IGBT，属于沟槽型场截止系列。该器件核心额定值为600V集射极击穿电压与20A最大集电极电流，脉冲电流能力达40A，在10A电流下典型导通压降仅为1.95V，有效降低了导通损耗。
其开关特性经过优化，开关能量较低（开启83J，关断140J），并具备107ns的反向恢复时间，确保了在中高频开关应用中的高效率与低噪声。器件采用标准TO-220-3通孔封装，最大功耗115W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，为工业级功率转换应用提供了坚固可靠的解决方案。
- 型号:STGP10H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:115 W
- 开关能量:83J（导通），140J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:57 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns
- 测试条件:400V，10A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):107 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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