STGP10M65DF2

STGP10M65DF2是意法半导体生产的一款650V、10A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220AB封装。该器件在15V栅极驱动、10A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2V，实现了低导通损耗，同时其开关能量（开启120J，关断270J）与快速的开关特性（Td(on/off)为19ns/91ns）相结合，有效优化了高频应用下的整体效率。

该IGBT具备20A的连续电流和40A的脉冲电流处理能力，最大功耗115W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在工业级应用中的高鲁棒性与可靠性。其标准输入类型和28nC的低栅极电荷简化了驱动电路设计，使其成为电机驱动、电源转换和新能源逆变器等中功率应用的优选功率开关解决方案。

• 型号:STGP10M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:120J（导通），270J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:28 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
• 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):96 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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