STW40N60M2-4

STW40N60M2-4是ST意法半导体基于MDmesh II Plus技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件的核心优势在于其600V的高漏源电压和34A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至88mΩ，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_G，最大57nC）确保了快速的开关速度，从而减少开关损耗。结合250W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，该器件旨在实现高效率和高可靠性的功率转换。

• 型号:STW40N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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