STGP30V60DF技术参数详情：
STGP30V60DF是ST意法半导体生产的一款600V、60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220AB封装。该器件在15V栅极驱动、30A集电极电流条件下的最大饱和压降仅为2.3V，有效降低了导通损耗，其最大功耗为258W。
该IGBT具备优异的开关性能，开关能量较低（Eon 383J， Eoff 233J），栅极电荷为163nC，并拥有120A的脉冲电流能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于对效率和可靠性有较高要求的工业功率转换场景。
- 型号:STGP30V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:258 W
- 开关能量:383J（导通），233J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:163 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):53 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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