STGP4M65DF2技术参数详情：
STGP4M65DF2是意法半导体M系列中的一款650V、4A低损耗绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用沟槽型场截止技术，在650V的集射极击穿电压下，实现了优异的导通与开关损耗平衡，其Vce(on)最大值低至2.1V @ 15V，4A。
其开关特性经过优化，开启与关断延迟时间短，开关能量值较低（Eon 40J， Eoff 136J），配合仅15.2nC的栅极电荷，使其非常适合高频开关应用，有助于提升系统效率与功率密度。器件提供8A的连续电流能力和175°C的最高结温，采用TO-220-3通孔封装，确保了在工业级功率转换应用中的高可靠性与稳健性。
- 型号:STGP4M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
- 功率 - 最大值:68 W
- 开关能量:40J（导通），136J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:15.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
- 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):133 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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