STGP7H60DF技术参数详情:
STGP7H60DF是ST意法半导体生产的一款600V、14A绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用TO-220AB通孔封装。该器件基于沟槽型场截止技术,在提供高击穿电压的同时实现了低导通损耗,其最大饱和压降Vce(on)在7A电流下仅为1.95V,有助于提升系统整体能效。
器件具备优化的开关特性,开启与关断延迟时间短,总开关能量较低,且栅极电荷仅为46nC,这使其适用于中高频开关应用。其坚固的设计支持高达88W的功耗,工作结温范围覆盖-55°C至175°C,确保了在工业环境下的可靠性与耐久性。
- 型号:STGP7H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,7A
- 功率 - 最大值:88 W
- 开关能量:99J(导通),100J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:46 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/160ns
- 测试条件:400V,7A,47 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):136 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
- 现在可以订购STGP7H60DF,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。