STGW20H65FB技术参数详情：
STGW20H65FB是ST意法半导体推出的一款650V、40A的沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡，典型饱和压降仅为2V @ 20A，有助于提升系统整体效率。
该器件具备80A的脉冲电流能力，开关能量较低（开通77J，关断170J），支持高频开关操作。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗168W，确保了在工业级应用中的高可靠性与鲁棒性，适用于电机驱动、逆变电源等要求严苛的功率转换场景。
- 型号:STGW20H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:168 W
- 开关能量:77J（导通），170J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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