STGW40H120F2技术参数详情：
STGW40H120F2是意法半导体生产的一款1200V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。该器件设计用于在高电压、高频率应用中实现高效率与高可靠性。
其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡：在40A电流下饱和压降最大仅2.6V，有效降低了导通损耗；同时，其快速的开关特性（Td(on)/Td(off)典型值18ns/152ns）有助于降低开关损耗并提升系统工作频率。高达175°C的结温工作范围和468W的功率处理能力，确保了其在严苛工业环境下的稳定运行。
- 型号:STGW40H120F2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:468 W
- 开关能量:1mJ（导通），1.32mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:158 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns
- 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 现在可以订购STGW40H120F2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
