STW70N60DM2技术参数详情：
STW70N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压和66A连续漏极电流，为高功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。
其技术亮点在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至42毫欧@33A，能显著降低导通损耗。同时，121nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并优化驱动效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和UPS等要求高效率与高可靠性的功率转换系统的理想选择。
- 型号:STW70N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:121 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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