STGW40M120DF3技术参数详情：
STGW40M120DF3是意法半导体推出的一款1200V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。该器件在15V栅极驱动、40A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2.3V，配合较低的开关能量（开通1.5mJ，关断2.25mJ）和125nC的栅极电荷，实现了导通损耗与开关损耗的优化平衡，有助于提升系统整体效率。
其设计兼顾了高性能与鲁棒性，集电极脉冲电流能力达160A，最大功耗为468W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些核心参数使其成为要求高可靠性、高效率的工业功率转换应用的理想选择，例如电机驱动、UPS和太阳能逆变器等。
- 型号:STGW40M120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:468 W
- 开关能量:1.5mJ（导通），2.25mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:125 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns
- 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):355 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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