STGW40N120KD技术参数详情：
STGW40N120KD是STMicroelectronics推出的一款1200V、80A的绝缘栅双极型晶体管，采用TO-247封装。该器件隶属于PowerMESH系列，其核心优势在于优异的电气特性平衡。
它在提供高达1200V击穿电压和80A连续电流能力的同时，保持了较低的导通压降（3.85V @ 30A）和可控的开关损耗（总开关能量9.4mJ）。标准输入电平和明确的栅极电荷（126nC）参数简化了驱动设计。这些特性使其成为要求高效率与高可靠性的中高压功率转换应用的理想选择。
- 型号:STGW40N120KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 1200V 80A TO-247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:240 W
- 开关能量:3.7mJ（导通），5.7mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:126 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:48ns/338ns
- 测试条件:960V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):84 ns
- 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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