STS9P3LLH6技术参数详情：
STS9P3LLH6是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET H6产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心额定参数为30V漏源电压和9A连续漏极电流，专为高效、紧凑的低压功率开关应用而设计。
其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V Vgs下最大值仅为15毫欧，配合最大24nC的栅极电荷，有效降低了传导与开关损耗，提升了系统整体效率。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STS9P3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SO
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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