STGW40S120DF3技术参数详情：
STGW40S120DF3是ST意法半导体推出的一款1200V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其优异的电气性能平衡，在40A电流下仅产生2.15V的低饱和压降，同时具备较低的开关能量与快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低开关损耗。
其参数设计针对工业级应用优化，集电极脉冲电流能力高达160A，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在浪涌电流和高温环境下的稳定运行。标准输入类型与合理的栅极电荷使其易于驱动，是电机驱动、太阳能逆变器及UPS等中高功率转换应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGW40S120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:468 W
- 开关能量:1.43mJ（导通），3.83mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:129 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/148ns
- 测试条件:600V，40A，15 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):355 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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