STW12NM60N

STW12NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。作为MDmesh产品系列的一员，其核心优势在于600V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至410毫欧的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这有助于在高压应用中显著降低导通损耗。

该器件在25°C壳温下可支持10A的连续漏极电流，最大功率耗散达90W。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现高效的开关操作并降低驱动需求。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换系统的关键组件。

• 型号:STW12NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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