STGW50H60DF技术参数详情：
STGW50H60DF是意法半导体生产的一款600V/100A沟槽场截止型IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡，在15V栅极驱动、50A集电极电流条件下，饱和压降典型值低至1.8V，有助于显著降低导通损耗。
该器件开关性能稳健，开通与关断延迟时间分别为62ns和178ns，反向恢复时间仅为55ns，适合中等频率的开关应用。其集电极脉冲电流能力达200A，最大功耗360W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业功率变换系统中的高可靠性与耐用性。
- 型号:STGW50H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:360 W
- 开关能量:890J（导通），860J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:217 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:62ns/178ns
- 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):55 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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