STGW60H65FB技术参数详情：
STGW60H65FB是ST意法半导体推出的一款650V、80A额定电流的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-247-3封装。该器件基于沟槽型场截止技术，在15V栅极驱动、60A电流条件下，最大集射极饱和压降仅为2.3V，有效降低了导通损耗。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（典型Td(on)/Td(off)为51ns/160ns）和较低的栅极电荷（306nC），有助于减少开关损耗并简化驱动设计。该IGBT支持高达240A的脉冲电流，最大功耗为375W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，为工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等中高功率应用提供了高效、可靠的功率开关解决方案。
- 型号:STGW60H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:306 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
- 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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