STGW80H65FB-4技术参数详情：
STGW80H65FB-4是ST意法半导体生产的一款采用TO-247-4封装的单管IGBT。该器件额定电压为650V，连续集电极电流达80A，脉冲电流能力为240A，具备强大的功率处理能力。其核心采用沟槽型场截止技术，确保了在高温和高电流下的稳定运行。
在性能参数上，该IGBT在80A电流下的典型导通压降仅为2V，显著降低了导通损耗。同时，其开关能量较低（开启2.1mJ，关断1.5mJ），开关速度快，有助于提升系统效率并允许更高频率的设计。最大结温为175°C，结合469W的功耗能力，使其在严苛的工业环境中也能保持高可靠性。
- 制造商产品型号：STGW80H65FB-4
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：240A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
- 功率-最大值：469W
- 开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：414nC
- 25°C时Td（开/关）值：84ns/280ns
- 测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-4
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