STGWA15S120DF3技术参数详情：
STGWA15S120DF3是ST意法半导体推出的一款1200V、15A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件设计用于提供优异的效率与可靠性平衡，其最大饱和压降仅为2.05V @ 15A，有助于降低导通损耗。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（开启延迟23ns）与可控的开关能量，同时栅极电荷较低（53nC），便于驱动。该器件支持高达175°C的结温工作，最大功耗259W，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STGWA15S120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:259 W
- 开关能量:540J（导通），1.38mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:53 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/140ns
- 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):270 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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