STGWA20IH65DF技术参数详情：
STGWA20IH65DF是意法半导体推出的一款650V、40A沟槽栅场截止型IGBT单管，采用TO-247-3封装。该器件基于先进的IH系列技术平台，旨在提供优异的效率与功率密度平衡。
其核心优势在于较低的导通与开关损耗。在20A电流下，通态饱和压降Vce(on)最大值仅为2.05V，有效降低了导通功耗。同时，其关断开关能量典型值为110J，配合56nC的栅极电荷，有助于实现高效率的功率切换。器件结温最高可达175°C，确保了在严苛环境下的高可靠性。
这些特性使其成为工业电机驱动、变频器、UPS及太阳能逆变器等中高功率应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGWA20IH65DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:159 W
- 开关能量:110J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:56 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/120ns
- 测试条件:400V，20A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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