STGWA30H60DFB技术参数详情：
STGWA30H60DFB是意法半导体生产的一款600V/60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件在15V栅极驱动下，30A电流时的典型饱和压降仅为2V，实现了低导通损耗，同时其开关能量与延迟时间经过优化，确保了高效快速的开关性能。
其规格包括120A的脉冲电流能力、149nC的低栅极电荷以及高达175°C的工作结温，这些特性共同赋予了该器件出色的过载能力、易驱动性和环境适应性。它主要面向电机驱动、电源转换和新能源逆变器等需要高可靠性功率开关的应用领域。
- 制造商产品型号：STGWA30H60DFB
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：HB
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
- 功率-最大值：260W
- 开关能量：383J（开），293J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：149nC
- 25°C时Td（开/关）值：37ns/146ns
- 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：53ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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