STGWA50HP65FB2技术参数详情：
STGWA50HP65FB2是ST意法半导体推出的一款650V、86A高功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用先进的沟槽型场截止技术。该器件在15V栅极驱动、50A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2V，实现了优异的低导通损耗特性。同时，其关断能量为580J，反向恢复时间为140ns，确保了快速、高效的开关性能。
该器件设计用于高要求的功率开关应用，其150A的脉冲电流能力和高达272W的功耗处理能力，提供了充足的功率余量。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，并采用TO-247-3标准封装，兼顾了高性能与高可靠性，是工业驱动、新能源逆变及大功率电源等应用的理想选择。
- 型号:STGWA50HP65FB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:86 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:272 W
- 开关能量:580J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:151 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/115ns
- 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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