STGWT20HP65FB技术参数详情：
STGWT20HP65FB是ST意法半导体HB系列中的一款有源沟槽型场截止IGBT。该器件集成了650V的集射极击穿电压和40A的连续集电极电流处理能力，其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的平衡。
在典型工作条件下（20A，15V Vge），其最大饱和压降仅为2V，同时关断开关能量为170J，栅极电荷低至120nC。这些参数共同确保了在高频开关应用中具备卓越的能效表现。器件采用TO-3P-3通孔封装，支持-55°C至175°C的宽结温范围，为要求高可靠性和鲁棒性的工业功率系统提供了坚实的解决方案。
- 型号:STGWT20HP65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:168 W
- 开关能量:170J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/139ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
- 现在可以订购STGWT20HP65FB，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
