STF8NK100Z技术参数详情：
STF8NK100Z是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-220FP。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值与1.85欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在高压应用中能有效降低传导损耗。
其电气特性包括6.5A的连续漏极电流（Tc）、102nC的栅极电荷（Qg）以及2180pF的输入电容（Ciss），这些参数共同优化了开关性能，有助于提升系统效率并简化驱动设计。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，功率耗散达40W（Tc），确保了在工业级功率转换应用中的高可靠性与鲁棒性。
- 型号:STF8NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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