STGWT28IH125DF技术参数详情：
STGWT28IH125DF是ST意法半导体生产的一款有源、高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用沟槽型场截止技术，核心电气参数突出，具备1250V的集射极击穿电压和60A的连续集电极电流处理能力，脉冲电流可达120A，适用于高电压、大功率的开关电路。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在15V栅极电压、25A集电极电流条件下，饱和压降最大值仅为2.5V，有助于降低导通损耗。同时，其关断开关能量为720J，确保了高效的开关操作。器件采用TO-3P通孔封装，最大功耗375W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，为工业级应用提供了坚实的可靠性保障。
- 型号:STGWT28IH125DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:720J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:114 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/128ns
- 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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