STGWT40H60DLFB技术参数详情：
STGWT40H60DLFB是ST意法半导体生产的一款沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3通孔封装。该器件核心额定值为600V集射极击穿电压和80A最大连续集电极电流，脉冲电流能力达160A，最大功耗为283W。
其关键电气性能包括在15V栅压、40A电流下仅2V的最大饱和压降，以及363J的关断开关能量和210nC的栅极电荷。这些参数共同指向了低导通损耗与可控的开关特性。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，适用于要求高可靠性的工业功率应用环境。
- 型号:STGWT40H60DLFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:363J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/142ns
- 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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