STGWT40H65DFB技术参数详情：
STGWT40H65DFB是意法半导体生产的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3封装。其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合，在40A电流下典型饱和压降仅为2V，同时具备498J（开）和363J（关）的较低开关能量。
该器件支持高达160A的脉冲电流，最大功耗283W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性。其标准输入特性和优化的动态参数（如62ns的反向恢复时间）使其成为工业驱动、新能源逆变及高性能电源等中功率应用的理想选择。
- 型号:STGWT40H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:498J（导通），363J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):62 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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