STH315N10F7-2技术参数详情：
STH315N10F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术，在H2PAK-2封装内实现了优异的电气特性。
其核心优势在于100V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流处理能力，同时保持了极低的导通电阻（典型值2.3mΩ @ 10V, 60A），这能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。此外，其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和315W的最大功率耗散能力，确保了其在恶劣环境下的高可靠性与稳定性。
- 型号:STH315N10F7-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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