STH10N80K5-2AG技术参数详情：
STH10N80K5-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。其核心优势在于800V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻特性，能够在高压应用中有效降低传导损耗。
该器件在壳温条件下支持8A连续电流，最大功耗达121W，并具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ），确保了在恶劣环境下的高可靠性。其栅极电荷与输入电容参数经过优化，有利于实现高效的开关性能。这些特性使其成为汽车电子和工业电源等高要求功率开关应用的理想选择。
- 型号:STH10N80K5-2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2Pak-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:680 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:426 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:121W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2Pak-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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