STH110N8F7-2技术参数详情：
STH110N8F7-2是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。该器件核心优势在于其80V/110A的额定值下实现了极低的导通电阻（6.6mΩ @ 55A, 10V），这显著降低了导通状态下的功率损耗。
其优化的栅极电荷（45nC @ 10V）与输入电容特性，有助于实现高效的开关性能，减少开关损耗。结合170W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至175°C的宽工作结温范围，该MOSFET为高功率密度和高可靠性应用提供了坚实的硬件基础。
- 制造商产品型号：STH110N8F7-2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F7
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 55A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3200pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：H2Pak-2
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