STH240N75F3-6技术参数详情：
STH240N75F3-6是ST意法半导体STripFET III系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6表面贴装封装。该器件额定电压75V，在壳温25°C下可连续通过高达180A的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、90A电流条件下典型值仅为3毫欧，能显著降低导通损耗。
此外，其栅极电荷（QG）最大值控制在87nC，有利于实现快速开关并降低驱动功耗。封装具备出色的散热能力，支持最大300W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源转换和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STH240N75F3-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
- 现在可以订购STH240N75F3-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
