STH250N6F3-6技术参数详情：
STH250N6F3-6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK封装。该器件核心卖点在于其强大的电流处理能力，连续漏极电流高达250A，同时具备60V的漏源电压耐受能力，为高功率应用提供了坚实的基础。
其H2PAK封装设计优化了散热路径，显著提升了功率耗散能力，确保器件在高负载下稳定运行。这款MOSFET主要面向需要高效、可靠开关功能的中高功率场景，是工业电源、电机驱动等领域的理想选择。
- 型号:STH250N6F3-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
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