STL8N10F7

STL8N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的DeepGATE和STripFET VII产品系列。该器件采用PowerFlat表面贴装封装，在紧凑的3.3x3.3mm占位面积内，提供了100V的漏源电压和高达35A的连续漏极电流处理能力。

其核心优势在于极低的功率损耗，导通电阻最大值低至20毫欧（@10V，4A），同时栅极电荷最大值仅为22nC，这共同确保了在高频开关应用中的高效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，热性能可靠，适用于空间受限且对热管理要求严格的设计。

综合来看，STL8N10F7以其高功率密度、低导通与开关损耗的特性，成为DC-DC转换、电机驱动和各类电源系统中高性能功率开关的理想解决方案。

• 型号:STL8N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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