STH275N8F7-6AG技术参数详情：
STH275N8F7-6AG是ST意法半导体推出的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装。该器件基于STripFET F7技术，核心优势在于其高达180A的连续电流承载能力与极低的2.1毫欧导通电阻（@10V, 90A）的出色结合，这使其在80V的工作电压下能实现极低的传导损耗。
此外，其193nC的栅极电荷有助于降低开关损耗，提升系统效率。高达315W的功率耗散能力和-55°C至175°C的宽结温范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。这些特性使其成为高功率、高密度电源转换和电机驱动应用的优选解决方案。
- 型号:STH275N8F7-6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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