STH290N4F6-2技术参数详情：
STH290N4F6-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装，额定漏源电压为60V。该器件专为要求高效率与可靠性的功率开关应用而设计。
其核心优势在于结合了稳健的电压处理能力与优化的封装技术，旨在实现较低的导通损耗和良好的热管理性能。这使得它成为工业电源转换、电机驱动等高要求场景中，构建高效、紧凑功率级解决方案的合适选择。
- 制造商产品型号：STH290N4F6-2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 60V H2PAK-2
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：停产
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
- 现在可以订购STH290N4F6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
