STH410N4F7-6AG技术参数详情：
STH410N4F7-6AG是意法半导体推出的AEC-Q101认证车规级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装。其核心优势在于结合了高达200A的连续漏极电流处理能力与极低的导通电阻（1.1毫欧@10V, 90A），能显著降低系统传导损耗。
该器件基于STripFET F7技术，在栅极电荷与导通电阻之间取得了良好平衡，有助于提升开关效率并简化驱动设计。其40V的漏源电压和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在严苛的汽车及工业环境下的高可靠性与稳定性，适用于高电流开关和电机驱动等关键应用。
- 型号:STH410N4F7-6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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