STI10N62K3技术参数详情：
STI10N62K3是ST意法半导体SuperMESH3产品系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装。其核心电气特性包括620V的漏源电压（Vdss）以及在10V Vgs、4A Id条件下最大750毫欧的导通电阻，实现了高耐压与低导通损耗的良好结合。
该器件在壳温条件下额定连续漏极电流为8.4A，最大功率耗散125W，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。其较低的栅极电荷和输入电容有助于优化开关性能。这些参数使其成为适用于中高功率开关电源、电机驱动及各类功率转换电路的稳健选择。
- 型号:STI10N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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