STI14NM50N

STI14NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用通孔I2PAK（TO-262）封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大导通电阻（Rds(on)）低至320毫欧（@10V， 6A），有助于最小化导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg（max） 27nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等中高功率密度设计的理想选择。

• 型号:STI14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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