STI20N60M2-EP

STI20N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-220封装，核心参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和13A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流开关应用提供了坚实的硬件基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至278毫欧，配合较低的栅极电荷（Q_g），共同实现了低传导损耗与高开关效率的结合。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在恶劣环境下的高可靠性与鲁棒性。

• 制造商产品型号：STI20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：278 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21.7nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：787pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
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