STD150NH02L-1技术参数详情：
STD150NH02L-1是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，在10V Vgs、75A Id条件下，Rds(On)典型值仅为3.5mΩ，在25°C壳温下连续漏极电流可达150A，漏源电压为24V。
其电气参数设计兼顾了性能与易用性，栅极阈值电压最大1.8V，便于标准逻辑电平驱动，栅极电荷（Qg）典型值93nC有助于实现快速开关。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），确保了在 demanding 环境下的稳定性。这些特性使其成为高效率DC-DC转换、同步整流及电机驱动等应用的理想选择。
- 型号:STD150NH02L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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