STI260N6F6技术参数详情：
STI260N6F6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装。该器件核心优势在于其高电流承载与低损耗特性，在壳温25°C下连续漏极电流达120A，并在10V栅极驱动、60A电流条件下实现仅3毫欧的极低导通电阻，最大功率耗散为300W。
其电气参数针对高效功率开关进行了优化，栅极电荷最大值仅为183nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。75V的漏源电压与±20V的栅源电压提供了充足的设计裕度。这些特性使其成为大电流、高效率功率转换系统的理想选择，适用于开关电源、电机驱动及DC-DC转换器等应用领域。
- 型号:STI260N6F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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