STI400N4F6技术参数详情：
STI400N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VI系列。该器件在40V的漏源电压下，能够提供高达120A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为1.7毫欧（@10V，60A），这使其在大电流应用中能有效降低传导损耗。
此外，该器件具备优化的开关性能，栅极电荷（Qg）最大值为377nC，有助于实现高效率的快速开关操作。其采用I2PAK（TO-262）通孔封装，最大功率耗散为300W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性与散热能力。这些特性使其非常适合用于同步整流、电机驱动和工业电源等高效功率转换领域。
- 型号:STI400N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:377 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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