STP13NK60Z

STP13NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与优化的低导通电阻特性，这使其在导通期间能够显著降低功率损耗。

器件在10V栅极驱动下具备优异的开关性能，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过平衡，有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。采用TO-220AB封装，支持通孔安装，并具备13A的连续漏极电流（Id）承载能力和150W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类工业与消费类功率电子系统中的鲁棒性和长期可靠性。

• 型号:STP13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP13NK60Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。