STI6N95K5

STI6N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道950V齐纳保护功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，将先进的MOSFET技术与集成的栅极保护齐纳二极管相结合，为高压开关应用提供了一个高度集成且可靠的解决方案。

其核心优势在于高达950V的击穿电压额定值和在壳温条件下9A的连续漏极电流承载能力。这些参数确保了器件在应对输入电压波动和浪涌时具有出色的稳健性，同时能够高效处理中等功率等级的负载。内部齐纳二极管增强了栅极的ESD防护，提升了系统在复杂电磁环境中的可靠性。

• 型号:STI6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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